TGV（玻璃通孔）工艺的挑战

TGV通常用于FOPLP或基于玻璃基板的平台。

其工艺流程包括：

1. 激光钻孔可在玻璃中产生局部热应力，从而产生表面粗糙度；

2. 湿法蚀刻以扩大孔并形成TGV沟槽；

3. 随后的金属籽晶层沉积和电镀（类似于TSV）。

然而，TGV工艺带来了几个关键挑战：

不可控的蚀刻轮廓：由于玻璃的非晶态结构和化学惰性，TGV蚀刻往往会产生非理想的轮廓，特别是凹面形状。这些会导致ALD/PVD步骤中的保形涂层出现问题。

种子层沉积的困难：凹形通孔形状导致在ALD或PVD期间不连续沉积，导致侧壁空隙或未覆盖的沟槽底部。

空洞缺陷的高风险：当TGV通过CD的尺寸过大时，铜电镀工艺会产生空洞，从而降低垂直互连的良率和长期可靠性。

CD变化影响RDL设计：TGV通常比TSV具有更大的直径（高达数十微米），这需要更多的堆积层间距。这增加了高密度RDL设计的负担，不利于高速信号和配电集成。

综上所述，虽然TSV为先进封装提供了卓越的可扩展性、控制和可靠性，但TGV尽管在大面积和低成本玻璃基板方面有望实现，但仍面临着重大的工艺和设计挑战，特别是在高性能、高密度互连场景中。

SI/PI和积层膜的新挑战

进一步来看，对信号完整性（SI）和功率完整性（PI）的要求变得越来越严格，TGV（透玻璃通孔）在支持高密度路由和细间距微凸点（uBump）互连方面的可行性似乎有限。除了导致路由拥塞的大通孔直径问题外，TGV结构还带来以下挑战：

堆积膜材料必须同时具有高流动性和低热膨胀系数（CTE），以匹配玻璃基板的热特性。在薄芯片堆叠或3D布线配置中实现垂直均匀性变得更加困难。

因此，尽管TGV为大面积封装提供了潜在的路径，但在高性能封装场景中也带来了更大的不确定性和设计权衡。

总体而言，虽然TSV（穿透硅通孔）可能具有更高的成本和更小的尺寸，但它提供了卓越的工艺可控性，使其非常适合高频、高速和精密封装应用。相比之下，TGV（透玻璃通孔）在衬底尺寸和光学透明度方面具有优势，但在材料控制、电均匀性和互连密度方面存在明显的缺点。

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